Transistor MOSFET onsemi canal N, TO247-4 102 A 1200 V, 4 broches

Code commande RS:: 202-5735
Référence fabricant:: NVH4L020N120SC1
Marque:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi canal N, TO247-4 102 A 1200 V, 4 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour la pièce

47,62 €

57,14 €

Unité	Prix par unité
1 - 9	47,62 €
10 - 24	46,33 €
25 - 99	45,11 €
100 - 249	43,96 €
250 +	42,86 €

Code commande RS:: 202-5735
Référence fabricant:: NVH4L020N120SC1
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet - NVH4L020N120SC1

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC), canal N - EliteSiC, 20 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium TO247−4L, canal N, 1 200 V, 20 mohm, TO247-4L

Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 102 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans les applications de chargeur intégré automobile, de convertisseur c.c. ou c.c.

Certifié AEC Q101
Processus d'approbation de pièce de production capable
Testé à 100 % en avalanche
Faible capacité de sortie effective

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	102 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Série	NVH
Type de boîtier	TO247-4
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	0,028 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4.3V
Matériau du transistor	SiC
Nombre d'éléments par circuit	1