Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N, A-247 60 A 1200 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 202-5745
- Référence fabricant:
- NVHL040N120SC1
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (par multiple de 2)
37,445 €
HT
44,934 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 2 - 8 | 37,445 € | 74,89 € |
| 10 - 24 | 36,435 € | 72,87 € |
| 26 - 48 | 35,475 € | 70,95 € |
| 50 - 98 | 34,57 € | 69,14 € |
| 100 + | 33,705 € | 67,41 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 202-5745
- Référence fabricant:
- NVHL040N120SC1
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC), canal N - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium TO247−3L, canal N, 1 200 V, 40 mohm, TO247-3L
Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 60 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans les applications de chargeur intégré automobile, de convertisseur c.c. ou c.c.
Certifié AEC Q101
Testé à 100 % UIL
Faible capacité de sortie effective
Conforme à la directive RoHS
Testé à 100 % UIL
Faible capacité de sortie effective
Conforme à la directive RoHS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 60 A |
| Tension Drain Source maximum | 1200 V |
| Type de boîtier | A-247 |
| Série | NVH |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,04 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4.3V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | SiC |