MOSFET onsemi canal N, A-247 44 A 1200 V, 3 broches

Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant d'excellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Les avantages incluent un rendement supérieur, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, la réduction des IEM et la réduction de la taille et du coût du système.

Prévus pour 1200V
RDS(ON) max. = 2,3 mΩ à VGS = 20V, ID = 20A
High Speed Switching and Low Capacitance
Devices are Pb-Free
Applications
PFC
OBC
Produits finis
Automotive DC/DC converter for EV/PHEV
Automotive On Board Charger
Automobile, driver de multimoteur