MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 600 V, 3 broches, TO-252 M6

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Code commande RS:
203-3430
Référence fabricant:
STD16N60M6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

M6

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

320mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.6mm

Hauteur

10.1mm

Largeur

2.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. La génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6 est fabriquée par STMicroelectronics. Cela combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement d'application final maximum.

Pertes de commutation réduites

Faible résistance d'entrée de grille

Testé à 100 % en avalanche

Protégé contre les Zener

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