MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V, 3 broches, TO-252 M6
- Code commande RS:
- 203-3432
- Référence fabricant:
- STD18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
3 037,50 €
HT
3 645,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,215 € | 3 037,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 203-3432
- Référence fabricant:
- STD18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | M6 | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 230mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 10.1mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série M6 | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 230mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 10.1mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Largeur 2.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. La génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6 est fabriquée par STMicroelectronics. Cela combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement d'application final maximum.
Pertes de commutation réduites
Faible résistance d'entrée de grille
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener
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