MOSFET canal N STMicroelectronics 8 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD11N60M6
- Code commande RS:
- 212-2104
- Référence fabricant:
- STD11N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 212-2104
- Référence fabricant:
- STD11N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | STD11N60M6 | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 500mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.3nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 90W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série STD11N60M6 | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 500mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.3nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 90W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.6mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Largeur 6.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET M6 MDmesh N-CH
La technologie STMicroelectronics MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. Il s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration de RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
Pertes de commutation réduites
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible résistance d'entrée de grille
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener
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