MOSFET N STMicroelectronics 8 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD11N60M6

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Code commande RS:
212-2104
Référence fabricant:
STD11N60M6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Série

STD11N60M6

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

500mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.3nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET M6 MDmesh N-CH


La technologie STMicroelectronics MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. Il s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration de RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.

Pertes de commutation réduites

RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente

Faible résistance d'entrée de grille

Testé à 100 % en avalanche

Protégé contre les Zener

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