MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V, 3 broches, TO-252 M6
- Code commande RS:
- 203-3433
- Référence fabricant:
- STD18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 50 de plus pour économiser 13,10 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
10,86 €
HT
13,03 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 09 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,172 € | 10,86 € | - |
| 50 - 245 | 1,91 € | 9,55 € | 13,10 € |
| 250 - 495 | 1,706 € | 8,53 € | 116,50 € |
| 500 + | 1,466 € | 7,33 € | 353,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 203-3433
- Référence fabricant:
- STD18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | M6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 230mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Hauteur | 10.1mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série M6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 230mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.4mm | ||
Hauteur 10.1mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. La génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6 est fabriquée par STMicroelectronics. Cela combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement d'application final maximum.
Pertes de commutation réduites
Faible résistance d'entrée de grille
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V TO-252 M6
- MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 600 V TO-252 M6
- MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement TO-252
- MOSFET canal N STMicroelectronics 6 A 600 V Enrichissement TO-252
- MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement TO-252
- MOSFET STMicroelectronics canal N 3 broches
- MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET canal N STMicroelectronics 8 A 600 V Enrichissement TO-252 STD11N60M6