MOSFET de puissance canal N Vishay 16 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 EF
- Code commande RS:
- 204-7249
- Référence fabricant:
- SIHF068N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
28,02 €
HT
33,63 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 15 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 5,604 € | 28,02 € |
| 25 - 45 | 5,044 € | 25,22 € |
| 50 - 120 | 4,612 € | 23,06 € |
| 125 - 245 | 4,488 € | 22,44 € |
| 250 + | 4,378 € | 21,89 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-7249
- Référence fabricant:
- SIHF068N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | EF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 68mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 51nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 10mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 28.6mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série EF | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 68mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 51nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 10mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 28.6mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain maximale de 600 V, courant de drain continu maximum de 16 A - SIHF068N60EF-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation à canal N haute tension conçu pour une utilisation dans les circuits de conversion de puissance et de commande où une gestion robuste de la tension et un montage traversant sont nécessaires. Il fonctionne sur une large plage de températures et est adapté aux applications exigeant un courant de drain soutenu et des caractéristiques de commande de grille contrôlées. Il est présenté dans un boîtier TO-220 à trous traversants pour l'assemblage de carte conventionnel.
Caractéristiques et avantages :
• Tension de drain de 600 V pour les applications de commutation haute tension
• Courant de drain continu de 16 A pour une gestion prolongée de la charge
• Rds(on) de 68 mΩ pour réduire les pertes de conduction
• Charge de grille typique de 51 nC pour un contrôle de commutation prévisible
• Dissipation de puissance maximale de 39 W pour la planification thermique
• Tolérance de grille de ±30 V pour s'adapter à différentes amplitudes d'entraînement de grille
• Courant de drain continu de 16 A pour une gestion prolongée de la charge
• Rds(on) de 68 mΩ pour réduire les pertes de conduction
• Charge de grille typique de 51 nC pour un contrôle de commutation prévisible
• Dissipation de puissance maximale de 39 W pour la planification thermique
• Tolérance de grille de ±30 V pour s'adapter à différentes amplitudes d'entraînement de grille
Applications
• Convient aux convertisseurs et inverseurs de puissance industriels
• Idéal pour les étages d'entraînement de moteur haute tension
• Utilisé pour les alimentations nécessitant un montage traversant
• Peut être utilisé pour les éléments de commutation dans les contrôleurs d'éclairage
• Convient pour les plates-formes de test et la réparation de matériel ancien
• Idéal pour les étages d'entraînement de moteur haute tension
• Utilisé pour les alimentations nécessitant un montage traversant
• Peut être utilisé pour les éléments de commutation dans les contrôleurs d'éclairage
• Convient pour les plates-formes de test et la réparation de matériel ancien
Quelles températures extrêmes peut-il tolérer pendant le fonctionnement?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant une large variation thermique.
Comment le boîtier facilite-t-il la gestion thermique sur une carte occupée?
Le format traversant TO-220 permet la fixation d'un dissipateur thermique à sa languette exposée, ce qui permet une meilleure dissipation jusqu'à sa puissance nominale de 39 W lorsqu'il est correctement monté.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille nécessaires pour les performances de commutation?
La conception doit prendre en compte la charge de grille de 51 nC lors de la dimensionnement des drivers pour atteindre les temps de montée/descente souhaités et les pertes de commutation aux fréquences cibles.
Quel type de canal et de mode de conduction utilise-t-il?
Il s'agit d'un dispositif à canal N fonctionnant en mode d'amélioration, nécessitant un entraînement de source de grille positif pour la conduite.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance canal N Vishay 16 A 600 V Enrichissement TO-220 EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 8.4 A 600 V Enrichissement TO-220 EF
- MOSFET canal N Vishay 19 A 600 V Enrichissement TO-220 EF
- MOSFET canal N Vishay 13 A 600 V Enrichissement TO-220 EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 21 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 25 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET canal N Vishay 25 A 650 V Enrichissement TO-220 EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 12 A 600 V Enrichissement TO-220 E