MOSFET de puissance canal N Vishay 21 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 EF
- Code commande RS:
- 653-176
- Référence fabricant:
- SIHB155N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
4,82 €
HT
5,78 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,82 € |
| 10 + | 4,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-176
- Référence fabricant:
- SIHB155N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 21A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | EF | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.159Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.79mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 21A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série EF | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.159Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.79mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain maximale de 600 V, courant de drain continu maximum de 21 A - SIHB155N60EF-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation à canal N haute tension conçu pour la conversion et le contrôle de puissance dans l'électronique industrielle. Il fonctionne comme un transistor à mode d'amélioration adapté au montage traversant et est destiné aux applications nécessitant une commutation robuste à des tensions et des courants élevés.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 600 V permet des applications de commutation haute tension • Le courant de drain continu de 21 A permet une gestion substantielle de la charge • La valeur Rds(on) de 0,159 Ω réduit les pertes de conduction pour un fonctionnement efficace • La dissipation de puissance de 179 W permet une gestion soutenue de la charge thermique • La charge de grille typique de 25 nC facilite les transitions de commutation rapides • La tolérance maximale de la grille de 30 V permet des tensions d'entraînement de grille courantes
Applications
• Convient aux alimentations haute tension dans les équipements d'automatisation • Idéal pour les étapes d'entraînement de moteur nécessitant des composants à trou traversant • Utilisé pour les alimentations à découpage industrielles avec une dissipation élevée • Peut être utilisé pour les modules de conversion de puissance dans les systèmes électriques • Convient pour le prototypage et les installations utilisables nécessitant des pièces à montage traversant
Quelles sont les considérations de montage qui s'appliquent à la gestion thermique?
Le dispositif utilise un boîtier TO-263 à trou traversant qui bénéficie d'un dissipateur thermique substantiel ou d'une zone en cuivre de circuit imprimé pour dissiper jusqu'à 179 W dans des conditions de refroidissement appropriées.
Comment la charge de grille influence-t-elle la conception de l'entraînement de grille?
Une charge de grille typique de 25 nC à l'entraînement de grille nominal affecte les pertes de commutation et dicte la capacité de courant du driver pour les temps de montée et de descente souhaités.
Quelle est la plage de température prévue pendant le fonctionnement ?
Le composant est spécifié pour fonctionner jusqu'à -55 °C et jusqu'à 150 °C, nécessitant une conception thermique appropriée pour maintenir les températures de jonction dans les limites.
Y a-t-il des restrictions sur la tension de grille pendant l'utilisation?
La tension de la source de la grille ne doit pas dépasser 30 V pour empêcher la contrainte d'oxyde de grille et garantir une fiabilité à long terme.
Quelles sont les caractéristiques électriques qui influencent l'efficacité des alimentations?
La combinaison de faibles Rds(on) et de la capacité de drain de 600 V réduit les pertes de conduction et de commutation dans les topologies de convertisseurs haute tension.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance canal N Vishay 21 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 25 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET canal N Vishay 8.4 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET canal N Vishay 28 A 600 V Enrichissement TO-263 EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 8.4 A 600 V Enrichissement TO-220 EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 16 A 600 V Enrichissement TO-220 EF
- MOSFET de puissance 1 canal N Simple Vishay 21 A 600 V JEDEC TO-220AB EF Non
- MOSFET de puissance canal N Vishay 22 A 600 V Enrichissement TO-263 E