MOSFET 2 canal Type N, Type P Double DiodesZetex 800 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, US DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,

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Code commande RS:
206-0063
Référence fabricant:
DMC3401LDW-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N, Type P

Courant continu de Drain maximum Id

800mA

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

US

Série

DMC3401

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

700mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

0.4W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.5nC

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Hauteur

950μm

Longueur

2.15mm

Largeur

1.3mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET à mode d'amélioration de paire complémentaire DiodesZetex 30 V est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 0,29 W.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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