Références fabricant

MOSFET canal N DiodesZetex 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMNH4004 AEC-Q101

Code commande RS:: 206-0095
Référence fabricant:: DMNH4004SPS-13
Marque:: DiodesZetex

MOSFET canal N DiodesZetex 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMNH4004 AEC-Q101

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Code commande RS:: 206-0095
Référence fabricant:: DMNH4004SPS-13
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	100A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	PowerDI5060
	Série	DMNH4004
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	6mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.8W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	40nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	5.6mm
	Largeur	4.7mm
	Hauteur	900μm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 100A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier PowerDI5060
	Série DMNH4004
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 6mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.8W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Longueur 5.6mm
	Largeur 4.7mm
	Hauteur 900μm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - DMNH4004SPS-13

Pays d'origine :: CN

Le MOSFET DiodesZetex 40 V à mode d'amélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 1,3 W.

La température nominale jusqu'à +175 °C est idéale pour les environnements à température ambiante élevée

Faible Qg - minimise les pertes de commutation

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