MOSFET DiodesZetex canal N, PowerDI5060-8 22 A 40 V, 8 broches

DiodesZetex propose un MOSFET en mode d'enrichissement à canal N. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il est classé jusqu'à +175 °C et est idéal pour les environnements à température ambiante élevée. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.

La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente un indice BVDSS élevé pour les applications de puissance. Il offre une faible capacitance d'entrée.