MOSFET canal N DiodesZetex 22 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-6906
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LPSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 485,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,594 € | 1 485,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-6906
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LPSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.005mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerDI5060-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.005mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET en mode d'enrichissement à canal N. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il est classé jusqu'à +175 °C et est idéal pour les environnements à température ambiante élevée. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente un indice BVDSS élevé pour les applications de puissance. Il offre une faible capacitance d'entrée.
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