MOSFET canal N STMicroelectronics 34 A 600 V Enrichissement, 8 broches STO67N60M6
- Code commande RS:
- 206-8633
- Référence fabricant:
- STO67N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 206-8633
- Référence fabricant:
- STO67N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 34 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 600 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Série | STO67N60M6 | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 54 mΩ | |
| Type de montage | En surface | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 34 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 600 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 8 | ||
Série STO67N60M6 | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 54 mΩ | ||
Type de montage En surface | ||
The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
High creepage package
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
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