MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement, 5 broches, DFN TK099V65Z
- Code commande RS:
- 206-9729
- Référence fabricant:
- TK099V65Z,LQ(S
- Marque:
- Toshiba
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 206-9729
- Référence fabricant:
- TK099V65Z,LQ(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Série | TK099V65Z | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 47nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 230W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.7V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 8mm | |
| Hauteur | 500μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier DFN | ||
Série TK099V65Z | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 230W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.7V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 8mm | ||
Hauteur 500μm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à canal N en silicium de Toshiba est doté de propriétés de commutation haute vitesse avec une capacité plus faible. Il est principalement utilisé dans les alimentations à découpage.
Faible résistance de drain-source 0,08 ?
Température de stockage : -55 à 150 °C.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement DFN TK099V65Z
- MOSFET canal N Toshiba 30.8 A 600 V Enrichissement DFN
- MOSFET canal N Toshiba 82 A 40 V Enrichissement SOP TPH3R704PC
- MOSFET canal N Toshiba 38 A 30 V Enrichissement SOP U-MOSVIII-H
- MOSFET canal N Toshiba 32 A 30 V Enrichissement SOP U-MOSVIII-H
- MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement TO-220 TK090A65Z
- MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement TO-247 TK090N65Z
- MOSFET canal N Toshiba 30 A 650 V Enrichissement TO-247 TK090Z65Z