MOSFET canal N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiSS30ADN
- Code commande RS:
- 210-5010
- Référence fabricant:
- SiSS30ADN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
1 581,00 €
HT
1 896,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,527 € | 1 581,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 210-5010
- Référence fabricant:
- SiSS30ADN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 54.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Série | SiSS30ADN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 57W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Hauteur | 830μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 54.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Série SiSS30ADN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 57W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.4mm | ||
Largeur 3.4mm | ||
Hauteur 830μm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Vishay à canal N 80 V (D-S) est doté d'un boîtier PowerPAK 1212-8S avec un courant de drain de 54,7 A.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV
Très faible valeur de mérite RDS x Qg (FOM)
Réglé pour le plus faible champ d'exploration RDS x Qoss
Testé à 100 % Rg et ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiSS30ADN
- MOSFET canal N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212-8 SISS126DN
- MOSFET canal N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212-8S SISS30DN
- MOSFET canal N Vishay 45.1 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS126DN
- MOSFET canal N Vishay 55.5 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiSS30LDN
- MOSFET canal N Vishay 33.7 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS128LDN
- MOSFET canal N Vishay 63 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiSS32ADN
- MOSFET canal N Vishay 30 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 ThunderFET