MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 48 A 650 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 212-2109
- Référence fabricant:
- STWA68N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
En cours d'approvisionnement
Prix pour la pièce
14,77 €
HT
17,72 €
TTC
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 14,77 € |
| 5 - 9 | 14,01 € |
| 10 - 24 | 12,62 € |
| 25 + | 12,55 € |
- Code commande RS:
- 212-2109
- Référence fabricant:
- STWA68N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET M6 MDmesh N-CH
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et le convertisseur de décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testé à 100 % en avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testé à 100 % en avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 48 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | A-247 |
| Série | STWA68N65DM6 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,059 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4.75V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
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