MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 48 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et le convertisseur de décalage de phase ZVS.

Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testé à 100 % en avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée