MOSFET canal N DiodesZetex 10.5 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333 DMN10H220LDV AEC-Q101

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Code commande RS:
213-9148
Référence fabricant:
DMN10H220LDV-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.5A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

DMN10H220LDV

Type de Boitier

PowerDI3333

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

222mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.4mm

Hauteur

850μm

Longueur

3.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET série DiodesZetex DMN10H220LDV est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, maintenir des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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