MOSFET canal Type N DiodesZetex 60 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333 DMT35M4LFVW AEC-Q101

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

268,00 €

HT

322,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 04 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +0,134 €268,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
213-9205
Référence fabricant:
DMT35M4LFVW-7
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

DMT35M4LFVW

Type de Boitier

PowerDI3333

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.1nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2.2W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Tension directe Vf

1V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

3.4mm

Largeur

3.4 mm

Hauteur

0.85mm

Standard automobile

AEC-Q101

La série DiodesZetex DMT35M4LFVW est un transistor MOSFET à canal N conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, maintenir des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Commutation inductive non serrée à 100 %

Test en production - garantit une extrémité plus fiable et plus robuste Application

Nos clients ont également consulté