MOSFET Infineon canal N, PQFN 3 x 3 40 A 80 V, 8 broches

Les transistors MOSFET de puissance OptiMOSTM 5 d'Infineon de niveau logique sont parfaitement adaptés pour la charge sans fil, les adaptateurs et les applications de télécommunications. Faible charge de grille des périphériques (Q _g) réduit les pertes de commutation sans compromettre les pertes de conduction. Les chiffres de mérite améliorés permettent le fonctionnement à des fréquences de commutation élevées. En outre, l'entraînement de niveau logique fournit une faible tension de seuil de grille (V _GS(th)) permettant d'entraîner les transistors MOSFET à 5 V et directement à partir des microcontrôleurs.