MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, PQFN 3 x 3 40 A 40 V, 8 broches

Infineon offre une large gamme de transistors MOSFET de puissance à canal N 20 V-40V à l'aide de la nouvelle technologie OptiMOS dans une grande variété de boîtiers pour répondre à une large gamme de besoins et atteindre RDS(on) jusqu'à 0,6 méch. La nouvelle technologie MOSFET OptiMOS 6 et Optimos5 40 V permet de faibles pertes de conduction (Meilleures performances RDSon de classe), faibles pertes de commutation (comportement de commutation amélioré), récupération de diode améliorée et comportement CEM. Cette technologie MOSFET est utilisée dans les boîtiers les plus Advanced et innovants pour atteindre les meilleures performances et qualité du produit. Pour une flexibilité de conception ultime, les transistors MOSFET homologués pour l'automobile sont disponibles dans une grande variété de boîtiers pour répondre à une large gamme de besoins. Infineon offre aux clients un flux régulier d'améliorations de capacité de courant, de comportement de commutation, de fiabilité, de taille de boîtier et de qualité globale. Le demi-pont intégré récemment développé est une solution de boîtier innovante et économique pour l'entraînement de moteur et les applications de corps.

OptiMOS TM - transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles
Canal N - mode d'amélioration - niveau logique
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C