MOSFET canal N Infineon 126 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS

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150 - 3601,141 €17,12 €
375 - 7351,091 €16,37 €
750 +1,015 €15,23 €

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
214-8986
Référence fabricant:
BSZ025N04LSATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

126A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TSDSON

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

69W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

37nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.2mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.1mm

Longueur

5.35mm

Standard automobile

Non

Les familles de produits Infineon 40 V et 60 V sont dotées non seulement du R DS(on) le plus faible de l'industrie, mais également d'un comportement de commutation parfait pour les applications de commutation rapide. Le R DS(on) inférieur de 15 % et le mérite inférieur de 31 % (R DS(on) x Q g) par rapport aux autres dispositifs ont été réalisés par la technologie Advanced Thin Wafer. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance.

Testé à 100 % en avalanche

Résistance thermique excellente

Optimisé pour une rectification synchrone

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