MOSFET canal N Infineon 114 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS-TM3
- Code commande RS:
- 222-4626
- Référence fabricant:
- BSZ028N04LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 720,00 €
HT
2 065,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,344 € | 1 720,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4626
- Référence fabricant:
- BSZ028N04LSATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 114A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | OptiMOS-TM3 | |
| Type de Boitier | TSDSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 63W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Longueur | 5.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 114A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série OptiMOS-TM3 | ||
Type de Boitier TSDSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 63W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 32nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.1mm | ||
Longueur 5.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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