Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 100 A 25 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS

Code commande RS:: 906-4441
Référence fabricant:: BSC009NE2LSATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 100 A 25 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

8,21 €

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Code commande RS:: 906-4441
Référence fabricant:: BSC009NE2LSATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	100A
	Tension Drain Source maximum Vds	25V
	Série	OptiMOS
	Type de Boitier	TSDSON
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	900μΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	96W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	72nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1.1mm
	Largeur	5.35mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.1mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 100A
	Tension Drain Source maximum Vds 25V
	Série OptiMOS
	Type de Boitier TSDSON
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 900μΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 96W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1.1mm
	Largeur 5.35mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.1mm
	Standard automobile Non

Statut RoHS : Exempté

Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement

Certifié AEC-Q101 automobile

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Température d'utilisation de 175 °C

Boîtier vert (sans plomb)

Très faible RDS(on)

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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