MOSFET canal N Infineon 176 A 25 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS 5

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Code commande RS:
214-8983
Référence fabricant:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

176A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

TSDSON

Série

OptiMOS 5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Dissipation de puissance maximum Pd

69W

Tension directe Vf

600mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.2mm

Longueur

5.35mm

Standard automobile

Non

La gamme Infineon offre une large gamme complète de dispositifs MOSFET, qui inclut les familles CoolMOS, OptiMOS et IRFET robuste. Avec la famille de produits OptiMOS-5 25 V et 30 V, Infineon offre des solutions de référence en permettant une densité de puissance et un rendement énergétique élevés, en veille et en fonctionnement complet. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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