MOSFET canal N Infineon 63 A 60 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS-TM3
- Code commande RS:
- 222-4628
- Référence fabricant:
- BSZ068N06NSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 745,00 €
HT
2 095,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,349 € | 1 745,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4628
- Référence fabricant:
- BSZ068N06NSATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | OptiMOS-TM3 | |
| Type de Boitier | TSDSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 46W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.35mm | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série OptiMOS-TM3 | ||
Type de Boitier TSDSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 46W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.35mm | ||
Largeur 6.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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