MOSFET canal N Infineon 63 A 60 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS-TM3
- Code commande RS:
- 222-4629
- Référence fabricant:
- BSZ068N06NSATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,963 € | 14,45 € |
| 75 - 135 | 0,915 € | 13,73 € |
| 150 - 360 | 0,876 € | 13,14 € |
| 375 - 735 | 0,837 € | 12,56 € |
| 750 + | 0,78 € | 11,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4629
- Référence fabricant:
- BSZ068N06NSATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TSDSON | |
| Série | OptiMOS-TM3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 46W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.35mm | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TSDSON | ||
Série OptiMOS-TM3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 46W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.35mm | ||
Largeur 6.1mm | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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