MOSFET canal N Infineon 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 600V CoolMOS P7

Code commande RS:: 214-4369
Référence fabricant:: IPB60R280P7ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 600V CoolMOS P7

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

790,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	0,79 €	790,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 214-4369
Référence fabricant:: IPB60R280P7ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	12A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	600V CoolMOS P7
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	280mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	18nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	900mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	53W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	4.5mm
	Largeur	9.27mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.02mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 12A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Type de Boitier TO-263
	Série 600V CoolMOS P7
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 900mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 53W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 4.5mm
	Largeur 9.27mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.02mm
	Standard automobile Non

Datasheet - IPB60R280P7ATMA1

Transistor MOSFET Infineon 600 V CoolMOS série P7, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu de 12 A - IPB60R280P7ATMA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour la commutation de puissance dans les systèmes électroniques exigeants. Il fonctionne dans une large plage de températures et est destiné aux applications à montage en surface nécessitant une gestion robuste de la tension et une commande de grille contrôlée. Le composant convient aux conceptions qui nécessitent un blocage haute tension, un courant de conduction modéré et un montage compact.

Caractéristiques et avantages :

• Valeur nominale drain-source de 600 V pour une capacité de commutation haute tension
• Courant de drain continu de 12 A pour une gestion prolongée de la charge
• Rds(on) de 280 mΩ pour une conduction efficace dans des conditions de fonctionnement normales
• Charge de grille typique de 18 nC pour une énergie de commutation prévisible
• Dissipation de puissance maximale de 53 W pour la marge thermique dans les étapes de puissance
• Tolérance de grille de 20 V pour la compatibilité avec les drivers de grille courants

Applications

• Convient aux alimentations hors ligne et aux interrupteurs primaires SMPS
• Idéal pour les convertisseurs c.c.-c.c. haute tension et les modules d'alimentation
• Utilisé avec les réseaux de redresseurs et d'amortisseurs dans le conditionnement d'alimentation
• Peut être utilisé pour les extrémités avant d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé pour les systèmes d'alimentation de télécommunications nécessitant un montage peu encombrant

Quel boîtier et quelle approche de montage sont nécessaires?

Il est fourni dans un boîtier TO-263 conçu pour un montage en surface afin de fournir une intégration de carte à profil bas et une conduction thermique efficace au niveau de la carte.

Quelles sont les limites thermiques qui régissent son utilisation dans les environnements à haute température?

Le dispositif est conçu pour fonctionner entre -55 °C et 150 °C, définissant les conditions ambiantes et de jonction admissibles pour un fonctionnement fiable dans cette plage.

Comment la spécification de la grille influe-t-elle sur la sélection des pilotes externes?

Avec une tension de source de grille maximale de 20 V, les drivers doivent maintenir le Vgs de crête dans cette limite et tenir compte de la charge de grille typique de 18 nC lors de la dimensionnement du courant d'entraînement pour la vitesse de commutation souhaitée.

Quel comportement de conduction les concepteurs doivent-ils anticiper en cas de charge continue?

Attendez-vous à des courants de drain continus jusqu'à 12 A, avec des pertes de conduction influencées par la résistance à l'état passant de 280 mΩ spécifiée et la conception thermique globale de la carte.