MOSFET canal N Infineon 26 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 600V CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 214-4368
- Référence fabricant:
- IPB60R120P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,898 € | 19,49 € |
| 25 - 45 | 3,508 € | 17,54 € |
| 50 - 120 | 3,276 € | 16,38 € |
| 125 - 245 | 3,04 € | 15,20 € |
| 250 + | 2,844 € | 14,22 € |
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- Code commande RS:
- 214-4368
- Référence fabricant:
- IPB60R120P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 26A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | 600V CoolMOS P7 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 120mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 95W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.27mm | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Longueur | 10.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 26A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série 600V CoolMOS P7 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 95W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.27mm | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Longueur 10.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon 600 V CoolMOS série P7, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu de 26 A - IPB60R120P7ATMA1
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de conversion de puissance dans les environnements thermiques exigeants. Il fonctionne sur une plage de températures étendue et est destiné à l'assemblage en surface dans les circuits électroniques de puissance où un blocage haute tension et une capacité de courant continu importante sont nécessaires.
Caractéristiques et avantages :
• La tension de drain de 600 V permet des conceptions de systèmes à haute tension
• Le courant continu de 26 A permet une gestion robuste de la charge
• Rds(on) de 120 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 36 nC permet une dimensionnement du variateur prévisible
• La dissipation de puissance maximale de 95 W permet un débit de puissance élevé
• Limites de chute de diode de tension directe de 0,9 V dans les circuits synchrones
• Le courant continu de 26 A permet une gestion robuste de la charge
• Rds(on) de 120 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 36 nC permet une dimensionnement du variateur prévisible
• La dissipation de puissance maximale de 95 W permet un débit de puissance élevé
• Limites de chute de diode de tension directe de 0,9 V dans les circuits synchrones
Applications
• Convient aux alimentations à découpage hors ligne
• Idéal pour les convertisseurs résonnants et à commutation difficile
• Utilisé avec les extrémités avant d'entraînement de moteur haute tension
• Peut être utilisé pour les rails d'alimentation auxiliaires dans les équipements industriels
• Adapté aux armoires électroniques à haute température
• Idéal pour les convertisseurs résonnants et à commutation difficile
• Utilisé avec les extrémités avant d'entraînement de moteur haute tension
• Peut être utilisé pour les rails d'alimentation auxiliaires dans les équipements industriels
• Adapté aux armoires électroniques à haute température
Quel type de boîtier utilise-t-il pour le montage sur carte?
Il est fourni dans un boîtier TO-263 configuré pour le montage en surface, ce qui facilite la conduction thermique vers un motif de terre de circuit imprimé.
Comment le dispositif tolère-t-il des températures extrêmes en fonctionnement?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant de larges variations thermiques.
Quelles sont les limites d'entraînement de grille que je dois observer?
La tension nominale maximale de la grille à la source est de 20 V, de sorte que les circuits d'entraînement doivent rester dans ce seuil pour éviter d'endommager la grille.
Quel est le comportement de commutation qui influe sur les décisions d'agencement?
La charge de grille typique de 36 nC du dispositif et sa valeur Rds(on) influencent les besoins en courant du driver de grille et la largeur de cuivre pour minimiser les pertes I2R.
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