MOSFET canal N Infineon 9 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 600V CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 214-4388
- Référence fabricant:
- IPD60R360P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 15 unités)*
9,80 €
HT
11,76 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 2 115 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 + | 0,653 € | 9,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4388
- Référence fabricant:
- IPD60R360P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | 600V CoolMOS P7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 360mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 41W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.65mm | |
| Hauteur | 2.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.42mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série 600V CoolMOS P7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 360mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 41W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.65mm | ||
Hauteur 2.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.42mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon 600 V CoolMOS série P7, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu de 9 A - IPD60R360P7ATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 9 A permet une capacité de charge importante
• Rds(on) de 360 mΩ limite les pertes de conduction aux courants de fonctionnement
• La charge de grille typique de 13 nC réduit l'énergie de commutation et la contrainte
• La porte-source maximale de 20 V résiste à des marges d'entraînement robustes
• La dissipation de puissance de 41 W permet une charge thermique significative
Applications
• Idéal pour les convertisseurs c.c.-c.c. haute tension
• Utilisé avec les topologies de commutation à pont et à serrage
• Peut être utilisé pour les extrémités avant d'entraînement de moteur industriel
• Adapté aux modules de distribution d'alimentation de télécommunications
Quelles sont les considérations d'emballage et de montage à prendre en compte?
Comment la plage thermique affecte-t-elle le déploiement?
Quelles sont les contraintes de l'entraînement de grille qui s'appliquent lors de l'agencement?
Comment évaluer la capacité de courant dans ma conception?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 9 A 600 V Enrichissement TO-252 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement TO-252 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 12 A 600 V Enrichissement TO-252 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 10 A 600 V Enrichissement ThinPAK 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 26 A 600 V Enrichissement TO-263 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 12 A 600 V Enrichissement TO-263 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 9 A 600 V Enrichissement TO-220 600V CoolMOS P7
- MOSFET canal N Infineon 48 A 600 V Enrichissement TO-220 600V CoolMOS P7
