MOSFET canal N Infineon 26 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 600V CoolMOS P7

Code commande RS:: 214-4367
Référence fabricant:: IPB60R120P7ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 26 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 600V CoolMOS P7

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 490,00 €

1 790,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	1,49 €	1 490,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 214-4367
Référence fabricant:: IPB60R120P7ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	26A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	600V CoolMOS P7
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	120mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	900mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	95W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	36nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	10.02mm
	Largeur	9.27mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	4.5mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 26A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Type de Boitier TO-263
	Série 600V CoolMOS P7
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 900mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 95W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 36nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 10.02mm
	Largeur 9.27mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 4.5mm
	Standard automobile Non

Datasheet - IPB60R120P7ATMA1

Transistor MOSFET Infineon 600 V CoolMOS série P7, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu de 26 A - IPB60R120P7ATMA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de conversion de puissance dans les environnements thermiques exigeants. Il fonctionne sur une plage de températures étendue et est destiné à l'assemblage en surface dans les circuits électroniques de puissance où un blocage haute tension et une capacité de courant continu importante sont nécessaires.

Caractéristiques et avantages :

• La tension de drain de 600 V permet des conceptions de systèmes à haute tension
• Le courant continu de 26 A permet une gestion robuste de la charge
• Rds(on) de 120 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 36 nC permet une dimensionnement du variateur prévisible
• La dissipation de puissance maximale de 95 W permet un débit de puissance élevé
• Limites de chute de diode de tension directe de 0,9 V dans les circuits synchrones

Applications

• Convient aux alimentations à découpage hors ligne
• Idéal pour les convertisseurs résonnants et à commutation difficile
• Utilisé avec les extrémités avant d'entraînement de moteur haute tension
• Peut être utilisé pour les rails d'alimentation auxiliaires dans les équipements industriels
• Adapté aux armoires électroniques à haute température

Quel type de boîtier utilise-t-il pour le montage sur carte?

Il est fourni dans un boîtier TO-263 configuré pour le montage en surface, ce qui facilite la conduction thermique vers un motif de terre de circuit imprimé.

Comment le dispositif tolère-t-il des températures extrêmes en fonctionnement?

Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant de larges variations thermiques.

Quelles sont les limites d'entraînement de grille que je dois observer?

La tension nominale maximale de la grille à la source est de 20 V, de sorte que les circuits d'entraînement doivent rester dans ce seuil pour éviter d'endommager la grille.

Quel est le comportement de commutation qui influe sur les décisions d'agencement?

La charge de grille typique de 36 nC du dispositif et sa valeur Rds(on) influencent les besoins en courant du driver de grille et la largeur de cuivre pour minimiser les pertes I2R.