MOSFET canal N Infineon 50 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
214-4377
Référence fabricant:
IPD50N06S2L13ATMA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-252

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

12.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

54nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

136W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.42mm

Hauteur

2.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.65mm

Standard automobile

AEC-Q101

Ce transistor MOSFET Infineon OptiMOS fournit une capacité de courant élevé, et des pertes de puissance de commutation et de conduction plus faibles pour un rendement thermique plus élevé. Il est testé à 100 % en avalanche.

La charge de grille totale optimisée permet de plus petits niveaux de sortie de driver

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