MOSFET canal N Infineon 12.5 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 700V CoolMOS P7

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Code commande RS:
214-4391
Référence fabricant:
IPD70R360P7SAUMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12.5A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Série

700V CoolMOS P7

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

360mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Tension directe Vf

900mV

Dissipation de puissance maximum Pd

59.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.65mm

Largeur

6.42mm

Hauteur

2.35mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET Infineon 700 V CoolMOS série P7, tension de source de drain de 700 V, courant de drain continu de 12,5 A - IPD70R360P7SAUMA1


Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour la conversion de puissance en mode à découpage et d'autres fonctions de gestion de la puissance. Il s'agit d'un composant à montage en surface destiné à être utilisé lorsque des capacités de blocage de tension et de commutation robustes sont nécessaires dans des assemblages compacts. Le dispositif fonctionne dans une large plage de températures et prend en charge les tensions de commande de grille typiques pour les applications d'électronique de puissance.

Caractéristiques et avantages :


• La capacité de blocage de 700 V permet des conceptions haute tension
• Le courant de drain continu de 12.5 A prend en charge des courants de charge substantiels
• RDS(on) de 360 mΩ minimise les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance de 59,5 W permet une gestion thermique soutenue
• La charge de grille de 16,4 nC réduit les pertes d'énergie de commutation
• La valeur nominale VGS de ±16 V permet des marges d'entraînement de grille standard

Applications


• Convient aux commutateurs primaires SMPS haute tension
• Idéal pour les étages de convertisseurs de puissance industriels
• Utilisé avec les topologies flyback et forward dans les alimentations
• Peut être utilisé pour les extrémités avant de correction du facteur de puissance
• Adapté aux tests haute tension et aux installations de laboratoire

Quelle plage thermique le dispositif peut-il tolérer en fonctionnement?


Il est spécifié pour fonctionner de -40 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements thermiques exigeants.

À quel boîtier dois-je m'attendre pour prendre en compte l'agencement de la carte?


La pièce est fournie dans un boîtier à montage en surface TO-252 avec trois broches pour une intégration simple de l'empreinte du circuit imprimé.

Quelle est la caractéristique de conduction directe en cas de commutation?


La tension directe est de 0,9 V, ce qui influence les calculs de perte de conduction pendant le fonctionnement à l'état actif.

Comment la conception de l'entraînement de grille doit-elle tenir compte du comportement de commutation?


Utilisez la charge de grille typique de 16,4 nC pour mesurer le courant de commande et la temporisation de commutation pour les vitesses de transition souhaitées.

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