MOSFET canal N Infineon 112 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 5

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Code commande RS:
214-4409
Référence fabricant:
IPP076N15N5AKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

112A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Série

OptiMOS 5

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

214W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

49nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

15.93mm

Longueur

10.2mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.4mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à super jonction P7 Cool MOS 600 V continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de classe et la faible charge de grille (QG) inhérente à la plate-forme de 7e génération Cool MOS TM garantissent un haut rendement.

Il est doté d'une diode de corps robuste

Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET

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