MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS

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Code commande RS:
214-4403
Référence fabricant:
IPP023N08N5AKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-220

Série

OptiMOS

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

133nC

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

15.93mm

Hauteur

4.4mm

Longueur

10.2mm

Standard automobile

Non

Ce transistor MOSFET Infineon OptiMOS 5 est idéal pour la commutation haute fréquence et la rectification synchrone. Il nécessite moins de mise en parallèle.

Il réduit les pertes de commutation et de conduction

Il est doté d'un dépassement de tension faible

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