MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS
- Code commande RS:
- 214-4404
- Référence fabricant:
- IPP023N08N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
9,65 €
HT
11,60 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 390 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,93 € | 9,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4404
- Référence fabricant:
- IPP023N08N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 133nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 15.93mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.2mm | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 133nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 15.93mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.2mm | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET Infineon OptiMOS 5 est idéal pour la commutation haute fréquence et la rectification synchrone. Il nécessite moins de mise en parallèle.
Il réduit les pertes de commutation et de conduction
Il est doté d'un dépassement de tension faible
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 120 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 120 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 120 A 120 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET N Infineon 80 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 5
- MOSFET N Infineon 80 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET N Infineon 80 A 60 V Enrichissement TO-220 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 120 A 60 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 5
- MOSFET N Infineon 120 A 150 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 5