MOSFET canal N Infineon 80 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 5
- Code commande RS:
- 214-9082
- Référence fabricant:
- IPP052N08N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-9082
- Référence fabricant:
- IPP052N08N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 9.45mm | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 9.45mm | ||
Longueur 10.36mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.57mm | ||
Standard automobile Non | ||
La gamme Infineon offre une large gamme complète de dispositifs MOSFET, qui inclut les familles CoolMOS, OptiMOS et IRFET robuste. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile. Ces transistors MOSFET de puissance de dernière génération sont spécialement conçus pour la rectification synchrone dans les télécommunications et les alimentations de serveur.
Qualifié conformément à JEDEC1 pour les applications cibles
Testé à 100 % en avalanche
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