MOSFET canal N Infineon 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
754-5480
Référence fabricant:
IPP072N10N3GXKSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Série

OptiMOS 3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

15.95mm

Hauteur

4.57mm

Longueur

10.36mm

Standard automobile

Non

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.