MOSFET Infineon canal N, A-220 80 A 60 V, 3 broches

Code commande RS:: 857-6842
Référence fabricant:: IPP052N06L3GXKSA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, A-220 80 A 60 V, 3 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en tube de 500)

1,707 €

2,048 €

Unité	Prix par unité	le tube*
500 - 500	1,707 €	853,50 €
1000 - 1000	1,621 €	810,50 €
1500 +	1,519 €	759,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 857-6842
Référence fabricant:: IPP052N06L3GXKSA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

OptiMOS™3 Power-Transistor

Législation et Conformité

Détail produit

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	80 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	A-220
Série	OptiMOS™ 3
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	4,7 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.2V
Tension de seuil minimale de la grille	1.2V
Dissipation de puissance maximum	115 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.57mm
Longueur	10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs	37 nC @ 4,5 V
Hauteur	15.95mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C