MOSFET canal N onsemi 75 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 FCH029N
- Code commande RS:
- 214-8791
- Référence fabricant:
- FCH029N65S3-F155
- Marque:
- onsemi
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- 214-8791
- Référence fabricant:
- FCH029N65S3-F155
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | FCH029N | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 29mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 201nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 463W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Largeur | 21.1mm | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série FCH029N | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 29mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 201nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 463W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Largeur 21.1mm | ||
Longueur 15.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor MOSFET est la toute nouvelle famille de transistors MOSFET à super jonction haute tension qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie Advanced est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournit des performances de commutation supérieures et résiste à une vitesse dv/dt extrême.
Sans plomb
Conforme à la directive RoHS
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