MOSFET canal N onsemi 24 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 FCH
- Code commande RS:
- 178-4239
- Référence fabricant:
- FCH125N65S3R0-F155
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
131,58 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 4,386 € | 131,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4239
- Référence fabricant:
- FCH125N65S3R0-F155
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | FCH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 125mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 181W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.82mm | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série FCH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 125mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 181W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.82mm | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Longueur 15.87mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus basses. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, la série de transistors MOSFET SUPERFET III Easy Drive permet de gérer les problèmes d'IEM et facilite l'implémentation de conception.
700 V @ TJ = 150 °C
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 439 pF)
Très faible charge de grille (typ. Qg = 46 nC)
Capacité optimisée
typ. RDS(on) = 105 mΩ
Résistance de grille interne : 0,5 Ω
Avantages :
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Faible perte de commutation
Faible perte de commutation
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Applications :
Informatique
Grand public
Industrie
Produits finis :
Ordinateur portable/ordinateur de bureau/console de jeux
Télécom/serveur
Onduleur/solaire
Eclairage/ballast à LED
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