MOSFET onsemi canal N, A-247 24 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus basses. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, la série de transistors MOSFET SUPERFET III Easy Drive permet de gérer les problèmes d'IEM et facilite l'implémentation de conception.

700 V @ TJ = 150 °C
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 439 pF)
Très faible charge de grille (typ. Qg = 46 nC)
Capacité optimisée
typ. RDS(on) = 105 mΩ
Résistance de grille interne : 0,5 Ω
Avantages :
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Faible perte de commutation
Faible perte de commutation
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Applications :
Informatique
Grand public
Industrie
Produits finis :
Ordinateur portable/ordinateur de bureau/console de jeux
Télécom/serveur
Onduleur/solaire
Eclairage/ballast à LED