MOSFET canal N Infineon 13 A 34 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS

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Code commande RS:
214-8979
Référence fabricant:
BSC0996NSATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

34V

Type de Boitier

TDSON

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.2nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Longueur

5.49mm

Largeur

6.35mm

Standard automobile

Non

La gamme Infineon de produits OptiMOS est disponible en boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces limités. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Il est fourni avec un comportement de commutation amélioré

Testé à 100 % en avalanche

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