MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS P7

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Code commande RS:
214-8995
Référence fabricant:
IPA60R180P7SXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

18A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

180mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La plate-forme Infineon CoolMOS de 7e génération est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série CoolMOS P7 600 V est le successeur de la série CoolMOS P6. Il combine les avantages d'un transistor MOSFET SJ à commutation rapide avec une excellente facilité d'utilisation, par exemple une très faible tendance à la sonnerie, une robustesse remarquable de la diode de corps contre la commutation dure et une excellente capacité ESD. En outre, les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, plus compactes et beaucoup plus froides.

Excellente robustesse ESD >de 2 kV (HBM) pour tous les produits

Adapté pour la commutation dure et douce grâce à un excellent Robustesse de commutation

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