MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS CFD7
- Code commande RS:
- 214-9115
- Référence fabricant:
- IPW60R125CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 5,102 € | 25,51 € |
| 10 - 20 | 4,286 € | 21,43 € |
| 25 - 45 | 4,032 € | 20,16 € |
| 50 - 120 | 3,724 € | 18,62 € |
| 125 + | 3,472 € | 17,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9115
- Référence fabricant:
- IPW60R125CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS CFD7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 125mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 92W | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS CFD7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 125mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 36nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 92W | ||
Longueur 16.13mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Largeur 5.21mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. Le dernier CoolMOS CFD7 est le successeur de la série CoolMOS CFD2 et est une plate-forme optimisée adaptée pour les applications de commutation douce cibles telles que le pont complet à décalage de phase (ZVS) et LLC. La technologie CFD7 CoolMOS répond aux normes de rendement et de fiabilité les plus élevées et prend en charge des solutions haute densité de puissance. Dans l'ensemble, CoolMOS CFD7 rend les topologies de commutation résonantes plus efficaces, plus fiables, plus légères et plus froides.
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