MOSFET canal N Infineon 70 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SuperSO OptiMOS 5
- Code commande RS:
- 215-2500
- Référence fabricant:
- IPC70N04S54R6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,623 € | 12,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-2500
- Référence fabricant:
- IPC70N04S54R6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SuperSO | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24.2nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 50W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SuperSO | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24.2nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 50W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Infineon OptiMOS.-5 de la série Power-Transistor est de type N avec mode canal d'enrichissement. Le type de boîtier de MOSFET est SuperSO8 5 x 6 et 8 broches.
Canal N - mode d'amélioration - niveau normal
Certifié AEC Q101
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Testé à 100 % en avalanche
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