MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 6 A 600 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 217-2528
- Référence fabricant:
- IPD60R600P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,927 €
HT
1,112 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,927 € | 18,54 € |
| 100 - 180 | 0,881 € | 17,62 € |
| 200 - 480 | 0,844 € | 16,88 € |
| 500 - 980 | 0,806 € | 16,12 € |
| 1000 + | 0,751 € | 15,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 217-2528
- Référence fabricant:
- IPD60R600P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjonction (SJ) MOSFET est le successeur de la série CoolMOS TM P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. La meilleure R onxA de classe et la faible charge de grille (Q G) inhérente à la plate-forme de 7e génération CoolMOS TM garantissent un haut rendement.
Le P7 600 V permet un excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G.
Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)
Résistance de porte intégrée R G
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles
Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)
Résistance de porte intégrée R G
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 6 A |
| Tension Drain Source maximum | 600 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 600 mO |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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