MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD50R
- Code commande RS:
- 222-4901
- Référence fabricant:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 967,50 €
HT
2 360,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,787 € | 1 967,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4901
- Référence fabricant:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | IPD50R | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 180mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 68W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série IPD50R | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 180mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 68W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Largeur 6.22mm | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 600 V CoolMOS TM C7 Superjonction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance.
Permet d'augmenter la fréquence de commutation sans perte de rendement
Mesure indiquant le paramètre clé pour une charge légère et un rendement à pleine charge
Doubler la fréquence de commutation est la moitié de la taille des composants magnétiques
Boîtiers plus petits pour le même R DS(on)
Peut être utilisé dans de nombreuses positions supplémentaires pour les topologies de commutation dures et souples
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