MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 13 A 600 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 222-4901
- Référence fabricant:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
1,253 €
HT
1,504 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,253 € | 3 132,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4901
- Référence fabricant:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La série Infineon 600 V CoolMOS TM C7 Superjonction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance.
Permet d'augmenter la fréquence de commutation sans perte de rendement
Mesure indiquant le paramètre clé pour une charge légère et un rendement à pleine charge
Doubler la fréquence de commutation est la moitié de la taille des composants magnétiques
Boîtiers plus petits pour le même R DS(on)
Peut être utilisé dans de nombreuses positions supplémentaires pour les topologies de commutation dures et souples
Mesure indiquant le paramètre clé pour une charge légère et un rendement à pleine charge
Doubler la fréquence de commutation est la moitié de la taille des composants magnétiques
Boîtiers plus petits pour le même R DS(on)
Peut être utilisé dans de nombreuses positions supplémentaires pour les topologies de commutation dures et souples
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 13 A |
| Tension Drain Source maximum | 600 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Série | CoolMOS™ C7 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 180 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Matériau du transistor | Si |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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