MOSFET canal N Infineon 50 A 600 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 CoolMOS C7
- Code commande RS:
- 217-2591
- Référence fabricant:
- IPZ60R040C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 217-2591
- Référence fabricant:
- IPZ60R040C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | CoolMOS C7 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 227W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 107nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 41.42mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série CoolMOS C7 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 227W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 107nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 41.42mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.21mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 600 V CoolMOS TM C7 Superjonction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance. Les applications d'efficacité et de coût total de possession (TCO) telles que les centres d'hyperdonnées et les redresseurs de télécommunications à haut rendement (>96 %) bénéficient d'un rendement plus élevé offert par CoolMOS C7. Des gains de 0,3 à 0,7 % dans les topologies PFC et de 0,1 % dans les topologies LLC peuvent être obtenus. Dans le cas d'une alimentation de serveur de 2,5 kW, par exemple, l'utilisation de MOSFET CoolMOS C7 SJ 600 V dans un boîtier TO-247 à 4 broches peut entraîner des réductions de coûts d'énergie d'environ 10 % pour la perte d'énergie de l'alimentation.
Paramètres de perte de commutation réduits tels que Q G, C oss, E oss
Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme
Fréquence de commutation accrue
Meilleure R (on)*A au monde
Diode intégrée robuste
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