MOSFET P Infineon 38 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 218-2971
- Référence fabricant:
- AUIRF5210STRL
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 218-2971
- Référence fabricant:
- AUIRF5210STRL
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 38A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.1W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 38A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.1W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET automobile Infineon à canal P. Il est spécialement conçu pour les applications automobiles. Cette conception cellulaire de transistors MOSFET de puissance HEXFET ® utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance par surface de silicium.
Technologie de traitement avancée
Transistor MOSFET à canal P
Résistance à l'état passant ultra faible
Puissance nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
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