MOSFET canal N Infineon 50 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

Code commande RS:: 218-3045
Référence fabricant:: IPD50N06S4L12ATMA2
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 50 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

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Code commande RS:: 218-3045
Référence fabricant:: IPD50N06S4L12ATMA2
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	50A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	OptiMOS-T2
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	12mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	30nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	50W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	16V
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	6.22mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.73mm
	Hauteur	2.41mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 50A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-252
	Série OptiMOS-T2
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 12mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 50W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 16V
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 6.22mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.73mm
	Hauteur 2.41mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L12ATMA2

Transistor MOSFET OptiMOS-T2 Infineon, tension de source de drain maximale de 60 V, courant de drain continu maximal de 50 A - IPD50N06S4L12ATMA2

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N de 60 V conçu pour la commutation à courant élevé dans des environnements exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures ambiantes et est destiné aux assemblages montés en surface où une conduction efficace et un emballage compact sont nécessaires.

Caractéristiques et avantages :

• La faible résistance à l'état passant de 12 mΩ réduit les pertes de conduction
• Le courant de drain continu maximal de 50 A prend en charge les charges lourdes
• La capacité de dissipation de puissance de 50 W permet de gérer les contraintes thermiques
• La charge de grille de 30 nC permet des transitions de commutation plus rapides
• La valeur nominale de la grille de 16 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
• La qualification AEC-Q101 garantit l'adéquation pour une utilisation automobile

Applications

• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. dans l'électronique automobile
• Idéal pour la commutation de puissance dans les systèmes auxiliaires de traction
• Utilisé pour les étapes de commande de moteur à courant élevé
• Peut être utilisé pour la gestion des batteries et les circuits de protection
• Adapté aux modules d'alimentation à montage en surface sur les cartes compactes

Quelles sont les limites de tension du dispositif pour le drain et la grille?

Le drain vers la source résiste jusqu'à 60 V tandis que la porte vers la source est évaluée à 16 V.

Comment le dispositif gère-t-il les températures ambiantes extrêmes?

Il est spécifié pour fonctionner jusqu'à -55 °C et jusqu'à 175 °C pour des environnements thermiques variés.

Quel boîtier et quelle forme de montage utilise-t-il pour l'assemblage de circuits imprimés?

Il est fourni dans un boîtier TO-252 conçu pour le montage en surface.

Quel type de canal et quel mode déterminent son comportement de conduction?

Il utilise une structure à canal N configurée en mode d'amélioration pour une commutation contrôlée.

Quelles sont les considérations d'encombrement physique qui affectent la conception thermique de l'agencement?

Les dimensions du boîtier sont compactes avec une hauteur de 2,41 mm, une longueur de 6,73 mm et une largeur de 6,22 mm pour faciliter le placement dense de la carte.